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東莞五金電池片的金屬電性能參數



五金電池片可分為單晶硅電池片和多晶硅單電池片。單晶硅電池的轉換率高于多晶硅電池2-3%,多晶硅電池的弱光性好于單晶單晶太陽能電池規格:156×156±
  規格:156×156±0.5mm
  對角線:202±1.0mm
  硅片的厚度:220±20um

正面:有藍色氮化硅反射膜,銀匯流帶(寬有1.8、1.6、正面:有藍色氮化硅反射膜,銀匯流帶(寬有1.8、1.6、2毫米規格寬)

背面:全部由鋁背場覆蓋,有4毫米寬的銀鋁焊線

光生伏打原理
  當光線照射太陽電池表面時,一部分光子被硅材料吸收;光子的能量傳遞給了硅原子,使電子發生了越遷,成為自由電子在P-N結兩側集聚形成了電位差,當外部接通電路時,在該電壓的作用下,將會有電流流過外部電路產生一定的輸出功率。這個過程的的實質是:光子能量轉換成電能的過程。

鋁背場
定義:為了改善硅太陽電池的效率,在p-n結制備完成后,往往在硅片的背面即背光面,沉積一層鋁膜,制備P+層,稱為鋁背場。

作用:減少少數載流子在背面復合的概率。也可以作為背面的金屬電極,還有可以擴散吸雜作用,與磷擴散吸雜不同,鋁吸雜在相對較低的溫度下進行。其中體缺陷也參與了雜質的溶解和沉積,而在較高溫度下,沉積的雜質易于溶解進入硅中,對Mc—Si產生不利的影響。

制備方法:最簡單的方法是利用濺射等技術在硅片背面沉制備方法:最簡單的方法是利用濺射等技術在硅片背面沉積一層鋁膜,然后再800~1000℃積一層鋁膜,然后再800~1000℃熱處理,使鋁膜和硅合金化并內擴散,形成一層高鋁濃度摻雜的P+層,構成鋁背金化并內擴散,形成一層高鋁濃度摻雜的P+層,構成鋁背場。
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